Elaboration de films de (la,sr)2nio4 et (ba,sr)tio3 par ablation laser

Goux-l

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 Goux-l - Elaboration de films de (la,sr)2nio4 et (ba,sr)tio3 par ablation laser.
Cette étude est une tentative d'épitaxie par ablation laser de l'oxyde de forte permittivité Ba0.6Sr0.4TiO3 (BST) sur silicium en vue de l'intégration... Lire la suite
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Résumé

Cette étude est une tentative d'épitaxie par ablation laser de l'oxyde de forte permittivité Ba0.6Sr0.4TiO3 (BST) sur silicium en vue de l'intégration de condensateurs de forte capacité. Nous montrons d'abord l'effet bénéfique d'une croissance de BST orientée selon les plans (h00) sur substrat monocristallin SrTiO3(100) sur la valeur de la permittivité du film. Comme par ailleurs nous confirmons que la croissance du BST sur substrat Pt(111)/TiOx/SiO2/Si (0Nos mesures électriques indiquent que la qualité d'orientation du BST doit encore être améliorée en vue d'obtenir d'excellentes propriétés diélectriques.

Caractéristiques

  • Date de parution
    21/11/2014
  • Editeur
  • Collection
  • ISBN
    978-3-8381-4919-6
  • EAN
    9783838149196
  • Présentation
    Broché
  • Nb. de pages
    224 pages
  • Poids
    0.336 Kg
  • Dimensions
    15,2 cm × 22,9 cm × 1,3 cm

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