Composants semiconducteurs micro-ondes

Pierre Pouvil

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Pierre Pouvil - Composants semiconducteurs micro-ondes.
Destinés à l'origine aux applications militaires ou aux télécommunications professionnelles, les circuits hyperfréquences s'ouvrent depuis peu à... Lire la suite
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Résumé

Destinés à l'origine aux applications militaires ou aux télécommunications professionnelles, les circuits hyperfréquences s'ouvrent depuis peu à un marché de plus en plus large: radiocommunications mobiles, télévision haute définition par satellite, radar anticollision et localisation des mobiles, etc. Ce marché potentiel suscite un développement croissant des circuits intégrés monolithiques micro-ondes (MMIC, Microwave Monolithic lntegrated Circuits). D'autant que les performances des outils actuels de conception assistée par ordinateur et la maîtrise des hétérostructures permettent d'accroître considérablement la densité d'intégration et la vitesse de fonctionnement des MMIC. Mais ces outils de CAO requièrent des modèles de composants actifs performants et adaptés. Une bonne connaissance des principes de fonctionnement des composants semiconducteurs devient donc indispensable au concepteur de circuits micro-ondes. Cet ouvrage présente les divers aspects de la conception et la fabrication des composants semiconducteurs: CAO, modèles, matériaux. Il décrit ensuite les principaux composants utilisés dans le domaine des micro-ondes: diodes de traitement du signal, diodes de génération du signal, transistor à effet de champ (MESFET, HEMT), transistor bipolaire à hétérojonction (HBT)... En outre, des précisions pratiques et des résultats théoriques, concernant en particulier le transistor à effet de champ, sont réunis en annexe. Ce cours s'adresse aux élèves-ingénieurs, ainsi qu'aux étudiants en 2e cycle EEA et 3e cycle d'électronique. Les ingénieurs et techniciens concepteurs de circuits y conforteront leurs connaissances de base.

Sommaire

    • Diode Schottky
    • Diode varicap
    • Diode PIN
    • Diode Gunn
    • Diode IMPATT
    • Transistor MESFET
    • Transistor HEMT
    • Transistor HBT
    • Caractérisation des transistors à effet de champ
    • Paramètres de bruit des quadripôles
    • Paramètres de bruit des transistors à effet de champ

Caractéristiques

  • Date de parution
    01/06/1994
  • Editeur
  • Collection
    techno de l'universite a l'ind
  • ISBN
    2-225-84547-6
  • EAN
    9782225845475
  • Présentation
    Broché
  • Nb. de pages
    267 pages
  • Poids
    0.54 Kg
  • Dimensions
    16,1 cm × 23,9 cm × 1,6 cm

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À propos de l'auteur

Biographie de Pierre Pouvil

Professeur des universités, Pierre POUVIL enseigne à l'ENSEA (Ecole nationale supérieure de l'électronique et de ses applications) de Cergy-Pontoise. Membre de l'équipe Micro-ondes (EMO) du laboratoire de recherches de VENSEA, il est responsable de projets de modélisation et de caractérisation pour la CAO, des transistors micro-ondes en collaboration avec l'industrie.

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