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Transient Floating-Body Effects for Memory Applications in Fully-Depleted SOI MOSFETs
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Résumé
Memory devices based on floating-body effects (FBE) in Silicon-on-Insulator (SOI) technology are among the most promising candidates for sub-100nm and low power Dynamic Random Access Memory (DRAM). This new type of DRAMs, called Zero-Capacitor RAM (Z-RAM)
Caractéristiques
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Date de parution01/01/2007
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Editeur
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Collection
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ISBN978-2-87463-088-0
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EAN9782874630880
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PrésentationBroché
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Nb. de pages168 pages
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Poids0.278 Kg
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Dimensions16,0 cm × 24,0 cm × 1,0 cm
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À propos de l'auteur
Biographie de Maryline Bawedin
Maryline Bawedin was born in Rocourt, Belgium, in 1976. She received the Industrial Engineer degree from the Institut Gramme, Liège, the Electrical Master degree and the Ph.D degree from the Université Catholique de Louvain, Louvain-la-Neuve, Belgium, in 2001, 2002 and 2007, respectively. Her main research areas are the electrical characterization, modeling and simulation of the floating-body effects for SOI memories applications and DC performance of thin film SOI LDMOSFETs.Vous aimerez aussi
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