Transient Floating-Body Effects for Memory Applications in Fully-Depleted SOI MOSFETs
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- Nombre de pages168
- PrésentationBroché
- Poids0.278 kg
- Dimensions16,0 cm × 24,0 cm × 1,0 cm
- ISBN978-2-87463-088-0
- EAN9782874630880
- Date de parution01/01/2007
- CollectionThèses de l'UCL
- ÉditeurPresses Universitaires Louvain
Résumé
Memory devices based on floating-body effects (FBE) in Silicon-on-Insulator (SOI) technology are among the most promising candidates for sub-100nm and low power Dynamic Random Access Memory (DRAM). This new type of DRAMs, called Zero-Capacitor RAM (Z-RAM)
Memory devices based on floating-body effects (FBE) in Silicon-on-Insulator (SOI) technology are among the most promising candidates for sub-100nm and low power Dynamic Random Access Memory (DRAM). This new type of DRAMs, called Zero-Capacitor RAM (Z-RAM)