Ancien élève du Magistère de Physique Fondamentale d'Orsay et diplômé du Master de Physique Fondamentale et Appliquée de l'Université Paris-Sud, spécialité Micro-nanotechnologies. Il obtient son doctorat de physique sur la modélisation des transistors MOSFET à base de matériaux III-V. Il est enseignant de physique à Univ. Paris Sud
Simulation Monte Carlo de MOSFET pour une électronique haute fréquence. Modélisation pour les transistors à base de matériaux III-V
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- Nombre de pages224
- FormatPoche
- PrésentationBroché
- Poids0.336 kg
- Dimensions15,0 cm × 22,0 cm × 0,0 cm
- ISBN978-613-1-59593-6
- EAN9786131595936
- Date de parution09/03/2012
- CollectionOMN.UNIV.EUROP.
- ÉditeurUniv Européenne
Résumé
Le rendement consommation/fréquence des futures générations de circuits intégrés sur silicium n'est pas satisfaisant à cause de la faible mobilité électronique et des relativement grandes tensions d'alimentation VDD requises. Ce travail se propose d'explorer numériquement les potentialités des transistors à effet de champ (FET) à base de matériaux III-V pour un fonctionnement en haute fréquence et une ultra basse consommation.
Tout d'abord, l'étude consiste à analyser théoriquement le fonctionnement d'une capacité MOS III-V en résolvant de façon auto-cohérente les équations de Poisson et Schrödinger (PS). On peut ainsi comprendre comment et pourquoi les effets extrinsèques comme les états de pièges à l'interface high-k/III-V dégradent les caractéristiques intrinsèques. Nous avons ensuite étudié plus en détails les performances des MOSFET III-V en régimes statiques et dynamiques sous faible VDD, à l'aide du simulateur particulaire MONACO de type Monte Carlo.
Les caractéristiques de quatre topologies de MOSFET ont été quantitativement étudiées en termes de rendement fréquence/consommation et de bruit. Nous en tirons des conclusions sur l'optimisation de ces dispositifs.
Tout d'abord, l'étude consiste à analyser théoriquement le fonctionnement d'une capacité MOS III-V en résolvant de façon auto-cohérente les équations de Poisson et Schrödinger (PS). On peut ainsi comprendre comment et pourquoi les effets extrinsèques comme les états de pièges à l'interface high-k/III-V dégradent les caractéristiques intrinsèques. Nous avons ensuite étudié plus en détails les performances des MOSFET III-V en régimes statiques et dynamiques sous faible VDD, à l'aide du simulateur particulaire MONACO de type Monte Carlo.
Les caractéristiques de quatre topologies de MOSFET ont été quantitativement étudiées en termes de rendement fréquence/consommation et de bruit. Nous en tirons des conclusions sur l'optimisation de ces dispositifs.