Investigation opto électronique des composés à base d'arsenic
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- Nombre de pages100
- PrésentationBroché
- Poids0.16 kg
- Dimensions15,2 cm × 22,9 cm × 0,6 cm
- ISBN978-620-2-27871-3
- EAN9786202278713
- Date de parution01/04/2018
- CollectionOMN.UNIV.EUROP.
- ÉditeurUniv Européenne
Résumé
Un intérêt tout à fait particulier a, déjà été porté aux semi-conducteurs qui sont à la base de nombreuses technologies de pointé en électronique, aérospatiale et l'énergie solaire. De ce fait, leur rôle dans les futurs industries ne cessera de prendre de plus en plus d'importance. L'intérêt pratique des semi-conducteurs s'est encore considérablement renforcé par la possibilité de modéliser et réaliser de nouveaux composés par association d'éléments du tableau périodique susceptibles de s'accorder tels que les éléments de la IIIème colonne avec l'arsenic As.
les composés III-As (InAs- AlAs- GaAs) sont les composés les plus utilisés dans la technologie des dispositifs opto-électroniques InAs a connu une grande importance pour son utilisation dans les dispositifs de longue longueur d'onde et à grande vitesse, il a une grande mobilité électronique. AlAs a été largement utilisé comme matériau à barrière dans la modulation des hétéro-structures dopées et les puits quantiques d'un treillis hétéro jonctions appariés.
les composés III-As (InAs- AlAs- GaAs) sont les composés les plus utilisés dans la technologie des dispositifs opto-électroniques InAs a connu une grande importance pour son utilisation dans les dispositifs de longue longueur d'onde et à grande vitesse, il a une grande mobilité électronique. AlAs a été largement utilisé comme matériau à barrière dans la modulation des hétéro-structures dopées et les puits quantiques d'un treillis hétéro jonctions appariés.