Fiabilité des transistors bipolaires à hétérojonction sur substrat InP. Etude des mécanismes de dégradation des transistors bipolaires à hétérojonction sur substrat InP destinés aux communications optiques

Par : Jean-Christophe Martin
    • Poids0.37 kg
    • EAN9786131513053
    • ÉditeurEd. Universitaires Européennes