Fiabilité des transistors bipolaires à hétérojonction sur substrat InP. Etude des mécanismes de dégradation des transistors bipolaires à hétérojonction sur substrat InP destinés aux communications optiques
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- Nombre de pages224
- Poids0.37 kg
- ISBN978-613-1-51305-3
- EAN9786131513053
- ÉditeurEd. Universitaires Européennes