Études théoriques des structures à transfert mono-électroniques
Par :Formats :
- Paiement en ligne :
- Livraison à domicile ou en point Mondial Relay estimée à partir du 14 septembreCet article sera commandé chez un fournisseur et vous sera envoyé 21 jours après la date de votre commande.
- Retrait Click and Collect en magasin gratuit
- Réservation en ligne avec paiement en magasin :
- Indisponible pour réserver et payer en magasin
- Nombre de pages92
- PrésentationBroché
- Poids0.148 kg
- Dimensions15,2 cm × 22,9 cm × 0,6 cm
- ISBN978-613-9-53794-5
- EAN9786139537945
- Date de parution01/06/2020
- CollectionOMN.UNIV.EUROP.
- ÉditeurUNIV EUROPEENNE
Résumé
Le mono-électronique est une nouvelle lumière qui permettra de surmonter les obstacles de la miniaturisation des composants considérés initialement comme infranchissables. Néanmoins, le nombre de défis à relever actuellement pour surmonter l'effet de réalisation des prochaines générations des transistors à un électron pour fonctionner à haute température. Comme il a été détaillé dans la première partie, il devient nécessaire de réaliser, d'une part, un modèle qui prédit le fonctionnement de SET à haute température en tenant compte des phénomènes physiques tel que le courant thermoïonique.
Ceci peut être implémenté sur des simulateurs avant de présenter le cahier de charge de transistor à réaliser ainsi ses divers application . Dans un deuxième lieu, on a travaillé grâce au simulateur SIMON avec trois types de mémoires à seul électron. La description de leurs comportements et fonctionnement à haute température et l'étude des performances électriques de ces nouvelles architectures à 300K afin d'être implanté sur carte soit possible.
Ceci peut être implémenté sur des simulateurs avant de présenter le cahier de charge de transistor à réaliser ainsi ses divers application . Dans un deuxième lieu, on a travaillé grâce au simulateur SIMON avec trois types de mémoires à seul électron. La description de leurs comportements et fonctionnement à haute température et l'étude des performances électriques de ces nouvelles architectures à 300K afin d'être implanté sur carte soit possible.

