Docteur en physique des matériaux semi-conducteurs. Elle a soutenu sa thèse de doctorat en 2006 à l'université ElManar II de Tunis. Elle enseigne à la faculté des sciences de Monastir-Tunisie. Ses travaux de recherche se focalisent sur l'élaboration des semi-conducteurs III-V appliqués aux dispositifs optoélectroniques.
Elaboration des Nitrures de Gallium avec traitement Si/N. Application aux Diodes Electroluminescentes
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- Nombre de pages160
- FormatPoche
- PrésentationBroché
- Poids0.245 kg
- Dimensions15,0 cm × 22,0 cm × 0,0 cm
- ISBN978-613-1-59727-5
- EAN9786131597275
- Date de parution19/10/2011
- CollectionOMN.UNIV.EUROP.
- ÉditeurUniv Européenne
Résumé
Le traitement Si/N, lors de l'élaboration du GaN à haute température et à pression atmosphérique par Epitaxie en Phase Vapeur par pyrolyse d'OrganoMétalliques (EPVOM), améliore nettement la qualité morphologique, électrique, structurale et optique. Le mode de croissance observé est un passage de 3D à 2D au cours de l'épaississement de la couche de GaN. Par la suite un dopage de type p et n dans GaN est réalisé en utilisant respectivement le magnésium et le silicium, conduisant ainsi à une homojonction p/n pour fabriquer une diode électroluminescente bleue.
Pour augmenter son rendement optique, une intercalation de puits quantiques InGaN est effectuée.
Pour augmenter son rendement optique, une intercalation de puits quantiques InGaN est effectuée.
A propos de Zohra Benzarti
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