Implantation ionique et traitements thermiques en technologie silicium
Par : ,Formats :
Disponible dans votre compte client Decitre ou Furet du Nord dès validation de votre commande. Le format PDF est :
- Compatible avec une lecture sur My Vivlio (smartphone, tablette, ordinateur)
- Compatible avec une lecture sur liseuses Vivlio
- Pour les liseuses autres que Vivlio, vous devez utiliser le logiciel Adobe Digital Edition. Non compatible avec la lecture sur les liseuses Kindle, Remarkable et Sony
, qui est-ce ?Notre partenaire de plateforme de lecture numérique où vous retrouverez l'ensemble de vos ebooks gratuitement
Pour en savoir plus sur nos ebooks, consultez notre aide en ligne ici
C'est si simple ! Lisez votre ebook avec l'app Vivlio sur votre tablette, mobile ou ordinateur :
- Nombre de pages364
- FormatPDF
- ISBN978-2-7462-4155-8
- EAN9782746241558
- Date de parution14/02/2011
- Copier CollerNon Autorisé
- Protection num.Digital Watermarking
- Taille13 Mo
- Infos supplémentairespdf
- ÉditeurHermes Science Publications
Résumé
Cet ouvrage propose au lecteur une vision de l'élaboration des couches actives, modifiant la structure de surface du substrat silicium massif : principes de base, mise en applications en fonction des filières technologiques, limites et contraintes, avec un focus sur les dernières avancées. Son objectif n'est pas de faire le tour de la question pour tous les procédés élémentaires d'un assemblage technologique, mais de rappeler les données essentielles et fondamentales seulement pour les procédés qui visent à utiliser et à améliorer les propriétés du matériau ou du semi-conducteur silicium, tant pour les composants électroniques que pour les microsystèmes.
Sont ainsi développés l'oxydation silicium, l'implantation ionique, la diffusion et l'épitaxie d'hétérostructures.
Sont ainsi développés l'oxydation silicium, l'implantation ionique, la diffusion et l'épitaxie d'hétérostructures.
Cet ouvrage propose au lecteur une vision de l'élaboration des couches actives, modifiant la structure de surface du substrat silicium massif : principes de base, mise en applications en fonction des filières technologiques, limites et contraintes, avec un focus sur les dernières avancées. Son objectif n'est pas de faire le tour de la question pour tous les procédés élémentaires d'un assemblage technologique, mais de rappeler les données essentielles et fondamentales seulement pour les procédés qui visent à utiliser et à améliorer les propriétés du matériau ou du semi-conducteur silicium, tant pour les composants électroniques que pour les microsystèmes.
Sont ainsi développés l'oxydation silicium, l'implantation ionique, la diffusion et l'épitaxie d'hétérostructures.
Sont ainsi développés l'oxydation silicium, l'implantation ionique, la diffusion et l'épitaxie d'hétérostructures.